搜索 IMW120R060M1HXKSA1 共 14 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | +1: ¥114.51779 +10: ¥110.146882 +30: ¥102.563356 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | +1: ¥200.887405 +10: ¥182.509694 +25: ¥159.379124 +100: ¥150.031839 +240: ¥149.873411 |
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | SIC DISCRETE | +1: ¥156.559096 +10: ¥149.176326 +25: ¥136.723842 +100: ¥133.33347 +240: ¥133.270099 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | Silicon Carbide MOSFET | +1: ¥81.23975 +25: ¥77.748803 +50: ¥74.786383 +100: ¥72.250012 | 暂无参数 | ||
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | +1: ¥93.768829 +10: ¥89.347026 +25: ¥81.888788 +100: ¥79.858174 +240: ¥79.820218 | 暂无参数 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
---|---|---|---|---|---|
IMW120R060M1HXKSA1 授权代理品牌 | Days to ship 8 | +1: ¥114.929145 +10: ¥88.116737 | 暂无参数 |
IMW120R060M1HXKSA1参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolSiC™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 15V,18V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 78 毫欧 13A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.7V 5.6mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 31 nC 18 V |
Vgs(最大值): | +23V,-7V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1060 pF 800 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |