IMW120R060M1HXKSA1厂家价格_数据手册

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	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥114.51779 +10：￥110.146882 +30：￥102.563356	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 13A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 5.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 13A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 5.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥82.818428 +10：￥76.10029 +100：￥65.717292	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 13A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 5.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

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	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥202.59582 +10：￥186.161473 +100：￥160.761909	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 13A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 5.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥157.734971 +30：￥127.71675 +120：￥120.202621 +510：￥108.933858 +1020：￥99.918675	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tube Package / Case： TO-247-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ) Technology： SiCFET (Silicon Carbide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 78mOhm @ 13A, 18V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 5.7V @ 5.6mA Supplier Device Package： PG-TO247-3-41 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 15V, 18V Vgs (Max)： +23V, -7V Drain to Source Voltage (Vdss)： 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 31 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 1060 pF @ 800 V

Mouser

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	IMW120R060M1HXKSA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	COOLSIC MOSFETS 1200V 下载数据手册晶体管	+1：￥207.100659 +10：￥188.154542 +25：￥164.308568 +100：￥154.67218 +240：￥154.508853	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：管件封装/外壳： * 系列： CoolSiC™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）： 1200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 36A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 78 毫欧 13A，18V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5.7V 5.6mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 31 nC 18 V Vgs（最大值）： +23V，-7V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1060 pF 800 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 150W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： PG-TO247-3-41 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

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	IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 授权代理品牌	SIC DISCRETE 下载数据手册未分类	+1：￥154.148253 +10：￥146.879169 +25：￥134.61844 +100：￥131.280278 +240：￥131.217882	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IMW120R060M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Silicon Carbide MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥82.824878 +25：￥79.265817 +50：￥76.245596 +100：￥73.659736	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IMW120R060M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥95.598422 +10：￥91.090342 +25：￥83.48658 +100：￥81.416346 +240：￥81.377649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

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	IMW120R060M1HXKSA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥117.171612 +10：￥89.836048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IMW120R060M1HXKSA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	CoolSiC™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）:	1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V，18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	78 毫欧 13A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.7V 5.6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	31 nC 18 V
Vgs（最大值）:	+23V，-7V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1060 pF 800 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	150W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	PG-TO247-3-41
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）