搜索 IRF7809AVTRPBF 共 19 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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IRF7809AVTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥2.512712 +100: ¥1.100365 +1000: ¥0.841084 | 暂无参数 | |||
IRF7809AVTRPBF 授权代理品牌 | +570: ¥4.409367 | ||||
IRF7809AVTRPBF 授权代理品牌 | +10: ¥1.254143 +1000: ¥1.18985 +12000: ¥1.157704 +16000: ¥1.125557 +20000: ¥1.082659 | 暂无参数 | |||
IRF7809AVTRPBF 授权代理品牌 | +5: ¥7.488454 +10: ¥6.01751 +50: ¥5.297455 +100: ¥4.649462 +200: ¥4.453947 | ||||
IRF7809AVTRPBF | +500: ¥0.777924 +1000: ¥0.731388 +2000: ¥0.68624 | 暂无参数 | |||
IRF7809AVTRPBF | +5: ¥1.271072 +50: ¥1.239817 +250: ¥1.207519 +500: ¥1.186682 +1000: ¥1.155425 | 暂无参数 | |||
IRF7809AVTRPBF | +10: ¥0.986297 +500: ¥0.910472 +2000: ¥0.834532 +6000: ¥0.758708 | 暂无参数 |
IRF7809AVTRPBF参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 13.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 9 毫欧 15A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 62 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3780 pF 16 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SO |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |