IPB073N15N5ATMA1厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.640998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

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	IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥20.52139 +2000：￥19.32305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥35.460894 +2000：￥33.390166	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.611486 +10：￥57.593215 +100：￥46.591369 +500：￥41.414298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2
IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥68.611486 +10：￥57.593215 +100：￥46.591369 +500：￥41.414298	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： OptiMOS™-5 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： PG-TO263-3-2

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB073N15N5ATMA1 INFINEON(英飞凌) 授权代理品牌	MV POWER MOS 下载数据手册晶体管	+1：￥85.94868 +10：￥72.453935 +25：￥71.811327 +100：￥58.637885 +250：￥58.155929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Infineon Technologies 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： OptiMOS™-5 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 114A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.3 毫欧 57A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.6V 160µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 61 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4700 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 214W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PG-TO263-3-2 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB073N15N5ATMA1 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥33.904417 +2000：￥33.559886	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IPB073N15N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+5：￥54.62922 +10：￥39.807339 +50：￥35.255319 +100：￥33.137078 +200：￥31.231408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IPB073N15N5ATMA1 Infineon(英飞凌) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 下载数据手册未分类	+3：￥41.69225	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IPB073N15N5ATMA1参数规格

属性	参数值
品牌:	Infineon Technologies
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	OptiMOS™-5
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	114A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.3 毫欧 57A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.6V 160µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	61 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4700 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	214W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PG-TO263-3-2
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）