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搜索 IRL640A 共 8 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.026235 +10：￥5.725889 +50：￥5.070253 +100：￥4.425544 +500：￥4.04309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A 授权代理品牌	IRL640A VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥3.723848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.225637 +10：￥8.268904 +100：￥6.647584 +500：￥5.461577 +1000：￥4.525346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.798807 +50：￥17.455743 +100：￥15.678042 +500：￥12.555591 +1000：￥11.552001	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 9A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1705 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥22.075342 +10：￥19.381213 +100：￥14.944736 +500：￥10.986729 +1000：￥10.735242	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	IRL640A ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥18.506741 +50：￥13.378964 +100：￥12.541619 +500：￥10.927288 +1000：￥10.298893	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	IRL640A onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥33.437363 +10：￥10.497777 +25：￥9.554923 +100：￥8.028855 +250：￥5.793218	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

IRL640A参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 9A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	56 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1705 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）