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| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | HUF75542P3 | +800: ¥30.040785 +1000: ¥25.243397 | 暂无参数 | ||
![]() | HUF75542P3 | +1: ¥25.760258 +10: ¥24.692268 +100: ¥23.537184 +500: ¥22.246456 +1000: ¥20.293235 | 暂无参数 |
HUF75542P3参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | UltraFET™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 80 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 毫欧 75A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 180 nC 20 V |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2750 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 230W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C(TJ) |


