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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HN1C03FU-B,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

双极晶体管预偏置

+3000:

¥0.491096

+6000:

¥0.449766

+15000:

¥0.388987

+30000:

¥0.381693

+75000:

¥0.316052

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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HN1C03FU-B,LF_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

双极晶体管预偏置

+3000:

¥0.848611

+6000:

¥0.777194

+15000:

¥0.672168

+30000:

¥0.659564

+75000:

¥0.546137

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 150°C(TJ)

HN1C03FU-B,LF_双极晶体管预偏置
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NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

双极晶体管预偏置

+1:

¥4.571729

+10:

¥3.360839

+25:

¥2.940733

+100:

¥1.596398

+250:

¥1.587997

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

HN1C03FU-B,LF_双极晶体管预偏置
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NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: US6

Mouser
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HN1C03FU-B,LF_晶体管
HN1C03FU-B,LF
授权代理品牌

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

晶体管

+:

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 NPN(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V

功率 - 最大值: 200mW

频率 - 跃迁: 30MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363

供应商器件封装: US6

温度: 150°C(TJ)

HN1C03FU-B,LF参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 NPN(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 300mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 100mV 3mA,30A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 350 4mA,2V
功率 - 最大值: 200mW
频率 - 跃迁: 30MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: US6
温度: 150°C(TJ)