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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥12.817688 +10：￥12.544506 +30：￥12.358742 +100：￥12.162052	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 238 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HUF75645S3ST VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	HUF75645S3ST VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.519932 +500：￥4.441304 +1600：￥4.323362 +4800：￥4.244734 +8800：￥3.930329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册未分类	+10：￥40.015918 +25：￥38.127912 +100：￥32.048285 +250：￥31.359624 +500：￥27.037399	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75645S3ST VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	HUF75645S3ST VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.598454 +200：￥4.519932 +270：￥4.441304 +810：￥4.323362 +2680：￥4.20542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75645S3ST 授权代理品牌	HUF75645S3ST VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥4.508833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥9.080627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 238 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥22.213619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 238 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 310W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.851197 +10：￥37.190983 +100：￥27.165788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)
HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥53.851197 +10：￥37.190983 +100：￥27.165788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK (TO-263AB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75645S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 下载数据手册未分类	+1：￥67.989863 +10：￥44.773811 +25：￥41.291404 +100：￥31.507497 +250：￥29.51755	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 800

HUF75645S3ST参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	238 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3790 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	310W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 175°C（TJ）