品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

零件状态： 最后售卖

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.6A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 250 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-223-4

封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-261-4, TO-261AA

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 90mOhm @ 2.6A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 1.1W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-223-4

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 17 nC @ 20 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 250 pF @ 25 V