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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥8.847216 +200：￥7.3728 +500：￥5.89824 +1000：￥4.915152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥7.627234 +200：￥2.950363 +500：￥2.852017 +1000：￥2.797381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

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	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+20：￥22.237978 +50：￥20.002637 +100：￥15.879629 +500：￥14.290042 +1000：￥13.577933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥7.341299 +5000：￥7.065266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥12.68574 +5000：￥12.208757	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥28.154339 +10：￥23.369364 +100：￥18.599539 +500：￥15.737898 +1000：￥13.353364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册射频晶体管	+1：￥28.154339 +10：￥23.369364 +100：￥18.599539 +500：￥15.737898 +1000：￥13.353364	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8M51TB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A 下载数据手册未分类	+1：￥36.59854 +10：￥30.338264 +100：￥24.238508 +500：￥20.546549 +1000：￥17.336151	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 和 P 沟道 FET 功能：标准漏源电压（Vdss）： 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15nC 10V，26.2nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 600pF 50V，1430pF 50V 功率 - 最大值： 3W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8M51TB1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R 下载数据手册未分类	+58：￥12.232677 +100：￥11.68539 +250：￥11.216881 +500：￥10.81222 +1000：￥10.459801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	HP8M51TB1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N/P-CH 100V 4.5A 8-Pin HSOP EP T/R 下载数据手册未分类	+21：￥12.898542 +50：￥11.841284 +100：￥10.890167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HP8M51TB1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 和 P 沟道
FET 功能:	标准
漏源电压（Vdss）:	100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	170mOhm 4.5A，10V，290mOhm 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15nC 10V，26.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	600pF 50V，1430pF 50V
功率 - 最大值:	3W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-HSOP
温度:	150°C（TJ）