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	HUFA76413DK8T 授权代理品牌	HUFA76413DK8T BYCHIP/百域芯下载数据手册未分类	+10：￥2.367112 +500：￥2.185133 +2000：￥2.003039 +6000：￥1.820945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76413DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76413DK8T Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+70：￥2.380478 +100：￥1.983732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49mOhm 5.1A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)
	HUFA76413DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 60V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5.1A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 49 毫欧 5.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 23nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 620pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HUFA76413DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC
	HUFA76413DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC

HUFA76413DK8T参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	49 毫欧 5.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	23nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	620pF 25V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）