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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+1：￥11.550124 +200：￥4.611308 +500：￥4.458326 +1000：￥4.381835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册未分类	+1：￥16.038777 +100：￥9.270475 +1250：￥5.877471 +2500：￥4.249372	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册未分类	+50：￥4.964745 +100：￥4.713927 +500：￥4.393617 +1000：￥4.207487 +2000：￥4.052861	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册	+1：￥19.221696 +100：￥11.110176 +1250：￥7.043904 +2500：￥5.092704	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥3.889179 +5000：￥3.703975 +12500：￥3.533021	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	+2500：￥9.513963 +5000：￥9.060904 +12500：￥8.642706	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET, 下载数据手册未分类	+1：￥26.295903 +2500：￥10.861352 +5000：￥10.355034 +10000：￥9.865049	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： 2 个 N 通道（半桥） FET 功能： - 漏源电压（Vdss）： 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 27A，80A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 毫欧 32A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47nC 4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 6100pF 15V 功率 - 最大值： 29W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HP8S36TB ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 27A/80A 8-Pin HSOP EP T/R 下载数据手册未分类	+101：￥7.845777 +250：￥7.531907 +500：￥7.259692 +1000：￥7.023322 +2500：￥6.815044	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HP8S36TB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	2 个 N 通道（半桥）
FET 功能:	-
漏源电压（Vdss）:	30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	27A，80A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 毫欧 32A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47nC 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	6100pF 15V
功率 - 最大值:	29W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-PowerTDFN
供应商器件封装:	8-HSOP
温度:	-55°C # 150°C（TJ）