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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76504DK8T ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	+500：￥3.114359 +1000：￥3.099889 +5000：￥3.056709	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76504DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76504DK8T ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC 下载数据手册射频晶体管	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： 2 N-通道（双） FET 功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200 毫欧 2.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	HUFA76504DK8T Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册射频晶体管	+760：￥4.942408	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态： Obsolete FET 类型： 2 N-Channel (Dual) FET 功能： Logic Level Gate 漏源电压（Vdss）： 80V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： - 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 200mOhm 2.5A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10nC 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 270pF 25V 功率 - 最大值： 2.5W 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOIC 温度： -55°C # 150°C (TJ)

HUFA76504DK8T参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	2 N-通道（双）
FET 功能:	逻辑电平门
漏源电压（Vdss）:	80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	200 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	270pF 25V
功率 - 最大值:	2.5W
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
供应商器件封装:	8-SOIC
温度:	-55°C # 150°C（TJ）