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HUFA76407DK8T-F085_射频晶体管
HUFA76407DK8T-F085
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

射频晶体管

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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HUFA76407DK8T-F085_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

射频晶体管

+2500:

¥9.455916

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™

零件状态: 不适用于新设计

FET 类型: 2 N-通道(双)

FET 功能: 逻辑电平门

漏源电压(Vdss): 60V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.8A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2nC 10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V

功率 - 最大值: 2.5W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

供应商器件封装: 8-SOIC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

HUFA76407DK8T-F085_未分类
HUFA76407DK8T-F085
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC

未分类

+2500:

¥9.463111

+5000:

¥9.107384

+12500:

¥8.805896

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W

Drain to Source Voltage (Vdss): 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Grade: Automotive

Qualification: AEC-Q101

HUFA76407DK8T-F085_未分类
HUFA76407DK8T-F085
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC

未分类

+1:

¥20.947121

+10:

¥17.430997

+100:

¥13.874974

+500:

¥11.740114

+1000:

¥9.961229

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Cut Tape (CT)

Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W

Drain to Source Voltage (Vdss): 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Grade: Automotive

Qualification: AEC-Q101

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授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8SOIC

未分类

+1:

¥20.947121

+10:

¥17.430997

+100:

¥13.874974

+500:

¥11.740114

+1000:

¥9.961229

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Digi-Reel®

Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Configuration: 2 N-Channel (Dual)

Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

Power - Max: 2.5W

Drain to Source Voltage (Vdss): 60V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: -

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 25V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.8A, 10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V

FET Feature: Logic Level Gate

Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Grade: Automotive

Qualification: AEC-Q101

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
HUFA76407DK8T-F085_未分类
HUFA76407DK8T-F085
授权代理品牌

MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC

未分类

+1:

¥26.632551

+10:

¥22.193792

+100:

¥17.755035

+250:

¥16.9624

+500:

¥14.790577

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SOIC-8

系列: HUF76407DK_F085

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 3.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: onsemi / Fairchild

配置: Dual

高度: 1.75 mm

长度: 4.9 mm

产品类型: MOSFET

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 3.9 mm

零件号别名: HUFA76407DK8T_F085

单位重量: 230.400 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

艾睿
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HUFA76407DK8T-F085_未分类
HUFA76407DK8T-F085
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R

未分类

+2500:

¥17.580654

+5000:

¥17.406275

+10000:

¥17.231895

+15000:

¥17.059101

+20000:

¥16.887891

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

HUFA76407DK8T-F085参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 3.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.2nC 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 330pF 25V
功率 - 最大值: 2.5W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
温度: -55°C # 150°C(TJ)