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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75321D3S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	"HUF75321D3S" 下载数据手册	+1：￥3.034174 +10：￥2.54616 +30：￥2.302153 +100：￥2.1218 +500：￥1.952056	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	类型： - 漏源电压(Vdss)： - 连续漏极电流(Id)： - 功率(Pd)： - 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： - 阈值电压(Vgs(th)@Id)： - 栅极电荷(Qg@Vgs)： - 输入电容(Ciss@Vds)： - 反向传输电容(Crss@Vds)： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75321D3S ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 下载数据手册未分类	+1013：￥2.99384 +5061：￥2.934516	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 93W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	HUF75321D3S JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	HUF75321D3S JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.109747 +150：￥1.090459 +500：￥1.061579 +15300：￥1.042186 +21850：￥0.97473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75321D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 93W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75321D3S Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+760：￥4.861764	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA
	HUF75321D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 36 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 44 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 680 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 93W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75321D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1800

HUF75321D3S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	36 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	44 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	680 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	93W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）