品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 205 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 270W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）

耐压： 55V

电流： 75A

类型： N沟道

阈值电压(Vgs(th)@Id)： 4V@250uA

漏源电压(Vdss)： 55V

连续漏极电流(Id)： 75A

功率(Pd)： 270W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)： 9mΩ@75A,10V

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 205 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 270W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 205 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 270W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C ~ 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 75A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 9mOhm @ 75A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 270W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 4V @ 250µA

Supplier Device Package： I2PAK (TO-262)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 55 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 205 nC @ 20 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 3000 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列： UltraFET™

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 55 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 毫欧 75A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 205 nC 20 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3000 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 270W（Tc）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

供应商器件封装： I2PAK（TO-262）

封装/外壳： TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

温度： -55°C # 175°C（TJ）