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	HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.644841 +10：￥23.09648 +50：￥19.247107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥7.383111 +1600：￥7.315375 +2400：￥7.247641 +3200：￥7.179905 +4000：￥7.11217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	HUF75339P3 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.929761 +150：￥1.89619 +250：￥1.845833 +13150：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75339P3 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	HUF75339P3 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.179764 +1000：￥2.994313 +3000：￥2.861765 +9000：￥2.782352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+47：￥17.687413 +50：￥16.672862 +100：￥14.203357 +500：￥11.640229 +5000：￥8.489939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.560013 +50：￥19.378456 +100：￥16.505242 +500：￥13.532511 +1000：￥11.18179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.798854 +10：￥17.8581 +50：￥16.833732 +100：￥14.340422 +500：￥11.752629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥16.446096 +250：￥14.802173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.53854 +50：￥19.368026 +100：￥16.494688 +500：￥13.514965 +1000：￥11.173813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

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	HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+320：￥5.490138	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

HUF75339P3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	130 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+800：￥7.383111 +1600：￥7.315375 +2400：￥7.247641 +3200：￥7.179905 +4000：￥7.11217	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	HUF75339P3 JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥1.929761 +150：￥1.89619 +250：￥1.845833 +13150：￥1.761905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75339P3 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	HUF75339P3 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥3.179764 +1000：￥2.994313 +3000：￥2.861765 +9000：￥2.782352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+47：￥17.687413 +50：￥16.672862 +100：￥14.203357 +500：￥11.640229 +5000：￥8.489939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.560013 +50：￥19.378456 +100：￥16.505242 +500：￥13.532511 +1000：￥11.18179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.798854 +10：￥17.8581 +50：￥16.833732 +100：￥14.340422 +500：￥11.752629	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥16.446096 +250：￥14.802173	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
HUF75339P3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥20.53854 +50：￥19.368026 +100：￥16.494688 +500：￥13.514965 +1000：￥11.173813	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 55 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 130 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）