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搜索 HUF76407D3ST 共 11 条相关记录
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HUF76407D3ST_晶体管-FET，MOSFET-单个
HUF76407D3ST
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￥5.338157

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国内：1~2 天

系列： *

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封装/外壳： -

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HUF76407D3ST_未分类
HUF76407D3ST
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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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HUF76407D3ST_晶体管-FET，MOSFET-单个
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Digi-Key
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HUF76407D3ST_晶体管-FET，MOSFET-单个
HUF76407D3ST
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￥4.552032

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HUF76407D3ST_晶体管-FET，MOSFET-单个
HUF76407D3ST
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货期：7~10 天

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HUF76407D3ST_未分类
HUF76407D3ST
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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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未分类
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￥6.321934

+12500：

￥6.084327

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 92mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-252AA

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

HUF76407D3ST_未分类
HUF76407D3ST
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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未分类
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￥15.646053

+10：

￥14.028411

+100：

￥10.932348

+500：

￥9.031488

+1000：

￥7.130094

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 92mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-252AA

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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未分类
+1：

￥15.646053

+10：

￥14.028411

+100：

￥10.932348

+500：

￥9.031488

+1000：

￥7.130094

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 92mOhm @ 13A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 38W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id： 3V @ 250µA

Supplier Device Package： TO-252AA

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±16V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 11.3 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 350 pF @ 25 V

Mouser
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HUF76407D3ST_晶体管
HUF76407D3ST
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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

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晶体管
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货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： DPAK-3

系列： HUF76407D3S

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 11 A

Rds On-漏源导通电阻： 77 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 11.3 nC

Pd-功率耗散： 38 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 45 ns

高度： 2.39 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 32 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 43 ns

典型接通延迟时间： 5 ns

宽度： 6.22 mm

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 175 C

HUF76407D3ST参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -