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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA75623S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.68249 +200：￥1.431472 +500：￥1.376836 +800：￥1.354981	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA75623S3ST 授权代理品牌	HUFA75623S3ST VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+3：￥4.238297 +20：￥4.132374 +200：￥3.885105 +800：￥3.81449	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA75623S3ST Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	N-CHANNEL POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+532：￥6.658745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64mOhm 22A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： D2PAK (TO-263) 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	HUFA75623S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA75623S3ST ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 64 毫欧 22A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 790 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 85W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D²PAK（TO-263）封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 175°C（TJ）

HUFA75623S3ST参数规格

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