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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76429D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.698726 +200：￥1.824854 +500：￥1.75929 +1000：￥1.726509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76429D3S ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 下载数据手册未分类	+664：￥3.909746 +3316：￥3.83266	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	HUFA76429D3S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	TO252 下载数据手册未分类	+10：￥1.854064 +50：￥1.822014 +500：￥1.758124 +5000：￥1.710154 +30000：￥1.598294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76429D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+498：￥3.1833	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUFA76429D3S Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+498：￥7.787195	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： UltraFET™ 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252AA
	HUFA76429D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 23 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 46 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1480 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 110W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

HUFA76429D3S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	23 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	46 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1480 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	110W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）