搜索 HN4C51J(TE85L,F) 共 4 条相关记录
Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| 授权代理品牌 | +3000： ￥1.510524 +6000： ￥1.390052 +15000： ￥1.251047 +30000： ￥1.232513 +75000： ￥1.158377 | ||||
| 授权代理品牌 | +1： ￥5.43665 +10： ￥4.361676 +25： ￥3.983582 +100： ￥2.502095 +250： ￥2.47417 | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SC-74A, SOT-753 供应商器件封装： SMV | |||
| 授权代理品牌 | 1+: | 系列： - 安装类型： Surface Mount 工作温度： 150°C (TJ) 封装/外壳： SC-74A, SOT-753 供应商器件封装： SMV |
Mouser
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
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HN4C51J(TE85L,F) 授权代理品牌 | +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ +： ￥ |
HN4C51J(TE85L,F)参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 2 NPN（双）共基极 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 120V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV 1mA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 200 2mA，6V |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-74A，SOT-753 |
| 供应商器件封装: | SMV |
| 温度: | 150°C（TJ） |