制造商型号: | HN4C51J(TE85L,F) |
制造商: | Toshiba (东芝) |
产品类别: | 双极晶体管预偏置 |
商品描述: | TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Toshiba(东芝) HN4C51J(TE85L,F)
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HN4C51J(TE85L,F) 中文资料
数据手册PDF
HN4C51J(TE85L,F) 规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 120 V
集电极—基极电压 120 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 100 mA
耗散功率 300 mW
增益带宽产品 100 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 200
直流电流增益(Max) 700
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 14 mg
HN4C51J(TE85L,F) 同类别型号
库存: 0
货期: | 8周-10周(咨询客服) |
最小起订: | 3000 个 |
整装: | ¥10 |
单价:¥1.510524 总价:¥4531.57 |
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 1.510524 | 4531.57 |
6000 | 1.390052 | 8340.31 |
15000 | 1.251047 | 18765.71 |
30000 | 1.232513 | 36975.39 |
75000 | 1.158377 | 86878.27 |
150000 | 1.112042 | 166806.30 |