HUF76609D3S厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF76609D3S ON Semiconductor 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载数据手册未分类	+1099：￥2.359421 +5495：￥2.312814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 425 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 49W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	HUF76609D3S VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	TO252 下载数据手册未分类	+10：￥1.854064 +50：￥1.822014 +500：￥1.758124 +5000：￥1.710154 +30000：￥1.598294	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF76609D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+825：￥1.90998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 425 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 49W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF76609D3S Rochester(罗彻斯特电子) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+825：￥4.672317	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态： Obsolete FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 10A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 425 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 49W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak) 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 温度： -55°C # 175°C (TJ)
	HUF76609D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 10A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 425 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 49W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252AA 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF76609D3S ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 1800

HUF76609D3S参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	425 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	49W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252AA
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 175°C（TJ）