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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75652G3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥120.406858 +10：￥100.339008 +30：￥80.271158 +100：￥66.892672	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 475 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7585 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 515W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	HUF75652G3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 475 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7585 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 515W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75652G3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥60.810733 +10：￥54.909196 +100：￥45.459788 +500：￥39.585934 +1000：￥34.478064	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 475 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7585 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 515W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75652G3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥148.759165 +10：￥134.322443 +100：￥111.206685 +500：￥96.837684 +1000：￥84.34248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UltraFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 75A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 毫欧 75A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 475 nC 20 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7585 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 515W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75652G3 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 75A TO-247 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： TO-247-3 系列： HUF75652G3 产品种类： MOSFET 技术： Si 安装风格： Through Hole 晶体管极性： N-Channel 通道数量： 1 Channel Vds-漏源极击穿电压： 100 V Id-连续漏极电流： 75 A Rds On-漏源导通电阻： 8 mOhms Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压： 2 V Qg-栅极电荷： 475 nC Pd-功率耗散： 515 W 通道模式： Enhancement 商标名： UltraFET 商标： onsemi / Fairchild 配置： Single 下降时间： 190 ns 高度： 20.82 mm 长度： 15.87 mm 产品类型： MOSFET 上升时间： 195 ns 晶体管类型： 1 N-Channel 典型关闭延迟时间： 80 ns 典型接通延迟时间： 18.5 ns 宽度： 4.82 mm 零件号别名： HUF75652G3_NL 单位重量： 6 g 温度： - 55 C~+ 175 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	HUF75652G3 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+450：￥67.334762	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

HUF75652G3参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UltraFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 毫欧 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	475 nC 20 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7585 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	515W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）