GAN063-650WSAQ厂家价格_数据手册

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	GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥218.490764 +30：￥209.388348	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+55：￥51.358813 +272：￥50.351742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥110.777695 +120：￥98.532271 +510：￥90.359903 +1020：￥90.280509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥137.602579 +10：￥109.767193 +120：￥97.633433 +510：￥89.535548 +1020：￥89.456892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥165.053517 +10：￥129.935768 +120：￥109.048367 +510：￥100.002929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥61.721556 +50：￥59.555986 +100：￥59.014565 +300：￥58.743797 +500：￥58.473143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥290.331854 +10：￥267.725458 +100：￥228.618778 +500：￥207.561171	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+1：￥322.205616 +10：￥284.894106 +30：￥281.743357 +60：￥240.78361 +120：￥240.617781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GAN063-650WSAQ 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH GaN 650V 34.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube 下载数据手册未分类	+1：￥180.417834 +10：￥140.678167 +120：￥125.35019 +510：￥115.110598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GaN FETs GAN063-650WSA/SOT429/TO-247 下载数据手册未分类	+50：￥168.508499 +100：￥140.457144 +500：￥137.652008	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

GAN063-650WSAQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Nexperia USA Inc.
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	34.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	60 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1000 pF 400 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	143W（Ta）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247-3
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册未分类	+55：￥51.358813 +272：￥50.351742	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥110.777695 +120：￥98.532271 +510：￥90.359903 +1020：￥90.280509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥137.602579 +10：￥109.767193 +120：￥97.633433 +510：￥89.535548 +1020：￥89.456892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥165.053517 +10：￥129.935768 +120：￥109.048367 +510：￥100.002929	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
GAN063-650WSAQ Nexperia(安世) 授权代理品牌	GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+25：￥61.721556 +50：￥59.555986 +100：￥59.014565 +300：￥58.743797 +500：￥58.473143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Nexperia USA Inc. 包装：管件封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 34.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 60 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 400 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 143W（Ta）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247-3 封装/外壳： TO-247-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）