品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： GeneSiC Semiconductor

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： Single Phase

技术： 标准

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 6 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： 4-SIP，GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Bag

Package / Case： 4-SIP, GBU

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Single Phase

Operating Temperature： -55°C # 150°C (TJ)

Technology： Standard

Supplier Device Package： GBU

Part Status： Active

Voltage - Peak Reverse (Max)： 600 V

Current - Average Rectified (Io)： 6 A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1 V @ 3 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 5 µA @ 600 V

品牌： DComponents

包装： Box

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Active

二极管类型： Single Phase

技术： Standard

电压 - 峰值反向（最大值）： 600 V

电流 - 平均整流 (Io)： 4.2 A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 6 A

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 600 V

工作温度： -50°C ~ 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： 4-SIP, GBU

供应商器件封装： GBU

温度： -50°C ~ 150°C (TJ)