品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.45V 15V，50A

功率 - 最大值： 240 W

开关能量： 1.3mJ（开），1.34mJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： 90ns/300ns

测试条件： 300V，50A，13 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（LH）

温度： 150°C（TJ）