品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 1000 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.8V 15V，60A

功率 - 最大值： 170 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： 330ns/700ns

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： 2.5 µs

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3PL

供应商器件封装： TO-3P（LH）

温度： 150°C（TJ）