品牌： Toshiba Semiconductor and Storage

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 200 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.3V 4V，200A

功率 - 最大值： 1 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： 3.1µs/2µs

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOP（5.5x6.0）

温度： 150°C（TJ）