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GPA030A135MN-FDR_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1350V 60A 329W TO3PN

晶体管-IGBT

+2500:

¥28.689276

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: SemiQ

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1350 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 90 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,30A

功率 - 最大值: 329 W

开关能量: 4.4mJ(开),1.18mJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 300 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/145ns

测试条件: 600V,30A,5 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 450 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装: TO-3PN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

GPA030A135MN-FDR参数规格

属性 参数值
品牌: SemiQ
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1350 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.4V 15V,30A
功率 - 最大值: 329 W
开关能量: 4.4mJ(开),1.18mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 300 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/145ns
测试条件: 600V,30A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 450 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN
温度: -55°C # 150°C(TJ)