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GPA020A120MN-FD_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 1200V 40A 223W TO3PN

晶体管-IGBT

+2500:

¥20.016758

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: SemiQ

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,20A

功率 - 最大值: 223 W

开关能量: 2.8mJ(开),480µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 210 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/150ns

测试条件: 600V,20A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 425 ns

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3

供应商器件封装: TO-3PN

温度: -55°C # 150°C(TJ)

GPA020A120MN-FD参数规格

属性 参数值
品牌: SemiQ
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.5V 15V,20A
功率 - 最大值: 223 W
开关能量: 2.8mJ(开),480µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 210 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/150ns
测试条件: 600V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 425 ns
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN
温度: -55°C # 150°C(TJ)