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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥17.33065 +10：￥15.167051 +30：￥13.812069 +100：￥12.424306 +500：￥11.790524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.8 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4620 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥10.102115 +6000：￥9.722352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.8 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4620 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥17.456422 +6000：￥16.800192	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：散装,剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.9A（Ta），49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14.8 毫欧 8.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 75 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4620 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），104W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.816313 +10：￥31.234128 +100：￥25.59439 +500：￥21.787722 +1000：￥18.375095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥34.816313 +10：￥31.234128 +100：￥25.59439 +500：￥21.787722 +1000：￥18.375095	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS3662 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： 8-PowerTDFN Mounting Type： Surface Mount Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8.9A (Ta), 39A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 14.8mOhm @ 8.9A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 4.5V @ 250µA Supplier Device Package： Power56 Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 4620 pF @ 50 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3662 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥45.77342 +10：￥41.196078 +100：￥33.777627 +500：￥28.726767 +1000：￥24.307265	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS3662 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.9A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥18.750096 +6000：￥18.605084 +9000：￥18.474573 +12000：￥18.286057 +15000：￥18.112042	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS3662参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	散装,剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.9A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14.8 毫欧 8.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	75 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4620 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）