品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 13.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 13.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 13.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A（Ta），22A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9 毫欧 13.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta），40W（Tc）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-MLP（3.3x3.3）

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Fairchild Semiconductor

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9mOhm 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.5A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.9mOhm 13.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4550 pF 30 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.3W (Ta), 40W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-MLP (3.3x3.3)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： Power-33-8

系列： FDMC86520L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 13.5 A

Rds On-漏源导通电阻： 6.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1.7 V

Qg-栅极电荷： 45 nC

Pd-功率耗散： 2.3 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi / Fairchild

配置： Single

下降时间： 3.4 ns

正向跨导 - 最小值： 49 S

高度： 0.8 mm

长度： 3.3 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 5.2 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

宽度： 3.3 mm

单位重量： 165.330 mg

温度： - 55 C~+ 150 C