搜索 FDB52N20TM 共 11 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDB52N20TM 授权代理品牌 | +800: ¥12.458885 | ||||
FDB52N20TM 授权代理品牌 | +10: ¥32.096712 +25: ¥30.409049 +100: ¥25.836261 +500: ¥21.274385 +800: ¥17.496375 | 暂无参数 | |||
![]() | FDB52N20TM 授权代理品牌 | +800: ¥39.590775 +1600: ¥38.930929 +2400: ¥38.271083 +3200: ¥37.611236 |
自营 国内现货
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Mouser
FDB52N20TM参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | UniFET™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 52A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 49 毫欧 26A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 63 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2900 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 357W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |