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FDMS86102LZ_未分类
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

未分类
+1：

￥11.845161

+10：

￥10.369979

+30：

￥9.441161

+100：

￥8.490489

+500：

￥8.064325

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1305 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDMS86102LZ_未分类
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

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未分类
+3000：

￥6.32394

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1305 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

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未分类
+3000：

￥8.719305

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1305 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FDMS86102LZ
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

FDMS86102LZ VBSEMI/台湾微碧半导体

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未分类
+10：

￥6.217066

+5000：

￥6.002685

+15000：

￥5.788302

+20000：

￥5.62757

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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FDMS86102LZ_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥6.560216

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1305 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86102LZ_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌
+3000：

￥11.336032

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A (Ta), 22A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25mOhm 7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1305 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W (Ta), 69W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

封装/外壳： 8-PowerTDFN

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FDMS86102LZ_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥24.740561

+10：

￥22.254667

+100：

￥17.885413

+500：

￥14.69471

+1000：

￥12.175672

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

FDMS86102LZ_晶体管-FET，MOSFET-单个
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌
+1：

￥24.740561

+10：

￥22.254667

+100：

￥17.885413

+500：

￥14.69471

+1000：

￥12.175672

库存： 0

货期：7~10 天

系列： PowerTrench®

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： 8-PowerTDFN

供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86102LZ_未分类
FDMS86102LZ
ON(安森美)
授权代理品牌

MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

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未分类
+1：

￥29.523878

+10：

￥26.394618

+25：

￥24.898016

+100：

￥21.224538

+500：

￥17.415005

库存： 0

货期：7~10 天

封裝： Reel

封裝： Cut Tape

封裝： MouseReel

標準包裝數量： 3000

艾睿
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FDMS86102LZ_未分类
FDMS86102LZ
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A 8-Pin PQFN EP T/R

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未分类
+1：

￥29.238856

+10：

￥25.925323

+25：

￥25.665751

+100：

￥20.857138

+250：

￥15.168301

库存： 0

货期：7~10 天

 暂无参数

FDMS86102LZ参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A (Ta), 22A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25mOhm 7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 22 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1305 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W (Ta), 69W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: 8-PQFN (5x6)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
温度: -55°C # 150°C (TJ)