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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU11P06TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥3.846399 +200：￥1.486109 +500：￥1.4424 +1000：￥1.409618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU11P06TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU11P06TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9.4A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 185 毫欧 4.7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 17 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 550 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），38W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU11P06TU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 9.4A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥13.877126 +10：￥11.901676 +100：￥9.12625 +500：￥8.081386 +1000：￥7.069173	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 5040

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU11P06TU 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+5040：￥4.611775 +10000：￥4.367621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	FQU11P06TU 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+1：￥11.185655 +10：￥10.023492 +100：￥7.92783 +500：￥6.509365 +1000：￥4.729057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQU11P06TU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	185 毫欧 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	550 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），38W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）