搜索 FDD6685 共 30 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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FDD6685 | +5: ¥1.907651 +50: ¥1.859724 +250: ¥1.812841 +500: ¥1.780543 +1000: ¥1.732618 | 暂无参数 | |||
FDD6685 | +5: ¥1.907651 +50: ¥1.859724 +250: ¥1.812841 +500: ¥1.780543 +1000: ¥1.732618 | 暂无参数 | |||
FDD6685 授权代理品牌 | +50: ¥1.32687 +300: ¥1.105763 +2500: ¥1.023804 +5000: ¥0.975068 | 暂无参数 | |||
FDD6685 授权代理品牌 | +500: ¥1.133778 +1000: ¥1.091641 +2000: ¥1.037232 | 暂无参数 | |||
FDD6685 授权代理品牌 | +2500: ¥5.5566 +5000: ¥5.46399 +7500: ¥5.325075 +12500: ¥5.232465 | ||||
FDD6685 | +10: ¥1.578074 +500: ¥1.456755 +2000: ¥1.335321 +6000: ¥1.213886 | 暂无参数 | |||
FDD6685 | +5: ¥2.119843 +20: ¥2.066824 +200: ¥1.94319 +2500: ¥1.907882 | 暂无参数 |
FDD6685参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 20 毫欧 11A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 24 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1715 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 52W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-252AA |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |