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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.95658 +10：￥11.95992 +30：￥11.760588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 51 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥32.544765 +200：￥22.00869 +800：￥16.155315 +3000：￥11.70675 +6000：￥11.121473	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 51 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.52491 +10：￥17.298293 +30：￥15.901406 +100：￥14.47301 +500：￥13.82183	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 51 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥6.179296 +6000：￥5.950416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 51 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥14.514581	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.6A（Ta），16A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 51 毫欧 4.6A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 905 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），69W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.530207 +10：￥28.394267 +100：￥20.129944 +500：￥16.62105 +1000：￥15.366868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.530207 +10：￥28.394267 +100：￥20.129944 +500：￥16.62105 +1000：￥15.366868	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN 下载数据手册未分类	+1：￥45.437127 +10：￥31.673326 +100：￥22.386906 +500：￥18.075354 +1000：￥16.748722	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+1：￥17.619867 +10：￥16.479157 +25：￥16.469871 +100：￥16.294972 +250：￥16.118525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS86252 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+1：￥21.393041 +10：￥15.778577	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS86252参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.6A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	51 毫欧 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	905 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）