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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP22N50N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.570139 +10：￥24.503289 +30：￥22.675783	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP22N50N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.205601 +10：￥25.335805 +100：￥20.758901 +500：￥17.671759 +1000：￥14.903882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP22N50N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.739186 +10：￥43.780186 +100：￥35.871311 +500：￥30.536741 +1000：￥25.753859	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： UniFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 22A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 220 毫欧 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 65 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 312.5W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP22N50N ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 22A TO220-3 下载数据手册未分类	+1：￥56.337645 +10：￥50.690106 +25：￥44.904822 +100：￥41.598946 +250：￥38.568559	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 50

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP22N50N 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 下载数据手册未分类	+1000：￥21.62552	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDP22N50N参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	UniFET™
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	220 毫欧 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	65 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	312.5W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）