![FQP30N06L_未分类]() | FQP30N06L | FQP30N06L VBSEMI/台湾微碧半导体 未分类 | | | 暂无参数 |
 | FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
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| FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
| FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
| FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
| FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
| FQP30N06L | | | | 品牌： onsemi 包装： Tube 封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 32A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35mOhm 16A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1040 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 79W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ) |
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