品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2694 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2694 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2694 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2694 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： PowerTrench®

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 8A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 36 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2694 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SOIC

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 24mOhm @ 8A, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.5V @ 250µA

Supplier Device Package： 8-SOIC

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 36 nC @ 4.5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 2694 pF @ 10 V