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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU13N10LTU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册未分类	+1：￥1.186829 +10：￥0.960386 +30：￥0.863339 +100：￥0.742136 +500：￥0.688255	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU13N10LTU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU13N10LTU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： QFET® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 180 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 520 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），40W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： I-PAK 封装/外壳： TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	FQU13N10LTU ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 180mOhm @ 5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 2.5W (Ta), 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA Supplier Device Package： I-PAK Part Status： Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 520 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU13N10LTU ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 10A IPAK 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Tube 標準包裝數量： 5040

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FQU13N10LTU 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube 下载数据手册未分类	+1：￥10.133468 +10：￥8.783403 +100：￥6.801083 +500：￥5.688838 +1000：￥4.501186	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FQU13N10LTU参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	QFET®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	180 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	520 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	I-PAK
封装/外壳:	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）