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FQP22N30_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQP22N30
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥49.774439

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￥33.18304

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￥27.652493

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 现货库存
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FQP22N30_未分类
FQP22N30
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

未分类
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￥18.275063

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￥7.078961

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￥6.826892

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￥6.700857

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FQP22N30_未分类
FQP22N30
ON(安森美)
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MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

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未分类
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￥28.10089

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￥26.453981

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￥23.239489

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￥21.001902

库存： 1000 +

国内：1~2 天

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自营 国内现货
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FQP22N30_晶体管-FET，MOSFET-单个
FQP22N30
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￥13.253702

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￥11.282542

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￥9.515345

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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ON(安森美)
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￥44.112579

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￥32.422066

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￥27.600087

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￥23.277054

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列： QFET®

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 300 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160mOhm 10.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2200 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 170W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Mouser
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FQP22N30
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MOSFET N-CH 300V 21A TO220-3

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货期：7~10 天

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艾睿
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FQP22N30
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Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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￥39.574139

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￥33.894378

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￥27.640643

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￥23.80702

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￥19.098157

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货期：7~10 天

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FQP22N30
授权代理品牌

Trans MOSFET N-CH 300V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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￥18.704089

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货期：7~10 天

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FQP22N30参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 160mOhm 10.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 60 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 170W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)