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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥3.168908 +10：￥3.092417 +30：￥3.037781 +100：￥2.983145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175m옴 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+10：￥290.584944 +100：￥285.659712 +500：￥283.197213 +1000：￥280.734597	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175m옴 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.776975	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175m옴 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.806724 +6000：￥4.577819 +9000：￥4.366487	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 175m옴 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.8 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 363 pF 75 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.4W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 6-MicroFET（2x2）封装/外壳： 6-WDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.588468 +10：￥9.507529 +100：￥7.395437 +500：￥6.267992 +1000：￥5.106029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)
FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.588468 +10：￥9.507529 +100：￥7.395437 +500：￥6.267992 +1000：￥5.106029	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-WDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 6-MicroFET (2x2)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86251 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6MICROFET 下载数据手册未分类	+1：￥14.733856 +10：￥12.088099 +100：￥9.394814 +500：￥7.968957 +1000：￥6.495571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMA86251 onsemi(安森美) 授权代理品牌	Days to ship 10 下载数据手册未分类	+3000：￥3.603404 +6000：￥3.575398 +12000：￥3.519386	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMA86251参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	175m옴 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.8 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	363 pF 75 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.4W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	6-MicroFET（2x2）
封装/外壳:	6-WDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）