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FJV3105RMTF_双极晶体管
FJV3105RMTF
ON(安森美)
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TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

自营 国内现货
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双极晶体管
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

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Digi-Key
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双极晶体管
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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA

电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V

电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 5mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA (ICBO)

频率 - 跃迁： 250 MHz

功率 - 最大值： 200 mW

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3

温度：

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双极晶体管
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￥2.594765

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

FJV3105RMTF_双极晶体管
FJV3105RMTF
ON(安森美)
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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双极晶体管
1+:

需询价

库存： 0

货期：7~10 天

系列： -

晶体管类型： NPN - Pre-Biased

安装类型： Surface Mount

封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser
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晶体管
+1：

￥1.742714

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￥0.998101

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￥0.459445

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￥0.411914

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： SOT-23-3

系列： FJV3105R

产品种类： 双极晶体管 - 预偏置

配置： Single

晶体管极性： NPN

典型输入电阻器： 4.7 kOhms

典型电阻器比率： 0.47

安装风格： SMD/SMT

直流集电极/Base Gain hfe Min： 30

集电极—发射极最大电压 VCEO： 50 V

集电极连续电流： 0.1 A

峰值直流集电极电流： 100 mA

Pd-功率耗散： 200 mW

商标： onsemi / Fairchild

直流电流增益 hFE 最大值： 30

发射极 - 基极电压 VEBO： 10 V

高度： 0.93 mm

长度： 2.92 mm

产品类型： BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

类型： NPN Epitaxial Silicon Transistor

宽度： 1.3 mm

零件号别名： FJV3105RMTF_NL

单位重量： 8 mg

温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿
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FJV3105RMTF_未分类
FJV3105RMTF
ON Semiconductor
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R

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未分类
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￥0.977505

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FJV3105RMTF参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Obsolete
晶体管类型: NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 30 5mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）: 100nA (ICBO)
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 200 mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3
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