搜索 FQP30N06 共 7 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FQP30N06 授权代理品牌 | +5: ¥15.015687 +15: ¥14.563752 +25: ¥14.125192 |
Digi-Key
Mouser
艾睿
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | FQP30N06 | +1: ¥17.517491 +10: ¥14.81591 +100: ¥11.793854 +500: ¥10.176967 +1000: ¥7.611698 | 暂无参数 | ||
![]() | FQP30N06 | +1: ¥20.858604 +10: ¥18.764775 +100: ¥9.349542 | 暂无参数 |
FQP30N06参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | onsemi |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | QFET® |
零件状态: | Active |
FET 类型: | N-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30A (Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 40mOhm 15A, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 945 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 79W (Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | TO-220-3 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C (TJ) |