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FDD6637_晶体管-FET,MOSFET-单个
FDD6637
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¥18.73152

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¥15.6096

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 35 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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FDD6637_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 35 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDD6637_未分类
FDD6637
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

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FDD6637_未分类
FDD6637
授权代理品牌
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库存: 1000 +

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Digi-Key
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FDD6637_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: PowerTrench®

零件状态: 在售

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 35 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 14A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V

Vgs(最大值): ±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF 20 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),57W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: TO-252AA

封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDD6637_晶体管-FET,MOSFET-单个
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¥10.553482

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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252)

FDD6637_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: PowerTrench®

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装: D-PAK (TO-252)

Mouser
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FDD6637_晶体管
FDD6637
授权代理品牌

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: DPAK-3

系列: FDD6637

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 35 V

Id-连续漏极电流: 55 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 25 V, + 25 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 63 nC

Pd-功率耗散: 3.1 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 36 ns

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 62 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

宽度: 6.22 mm

单位重量: 330 mg

温度: - 55 C~+ 150 C

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FDD6637_未分类
FDD6637
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场效应管, MOSFET, P沟道, -35V, -13A, TO-252-3

未分类

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¥16.598554

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¥11.031498

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¥10.095103

库存: 0

货期:7~10 天

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FDD6637_未分类
FDD6637
授权代理品牌

MOSFET, P-CH, -35V, -13A, TO-252-3

未分类

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¥19.72457

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货期:7~10 天

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FDD6637参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A(Ta),55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.1W(Ta),57W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)