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	FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥29.008177 +10：￥19.338704 +50：￥16.115627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营现货库存

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	FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥21.461158 +10：￥18.259468 +50：￥16.259778 +100：￥14.216378 +500：￥13.28756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDP050AN06A0 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	FDP050AN06A0 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥4.55914 +50：￥4.480618 +500：￥4.323362 +5000：￥4.20542 +30000：￥3.930329	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册未分类	+50：￥14.402879 +150：￥14.147919 +250：￥13.893065 +750：￥13.638104 +1250：￥13.510677	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册未分类	+10：￥23.642139 +100：￥19.002062 +500：￥15.614064 +1000：￥15.061706	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.084271 +10：￥15.342125 +100：￥12.329337 +500：￥10.129736 +1000：￥8.39321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP050AN06A0 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.084271 +10：￥15.342125 +100：￥12.329337 +500：￥10.129736 +1000：￥8.39321	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDP050AN06A0 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥54.769115 +50：￥25.824096 +100：￥24.343189 +500：￥20.473859 +1000：￥18.996621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：管件封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta），80A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5 毫欧 80A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W（Tc）工作温度： -55°C # 175°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C（TJ）
	FDP050AN06A0 ON Semiconductor 授权代理品牌	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Fairchild Semiconductor 包装： Bulk 封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态： Active FET 类型： N-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5mOhm 80A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3900 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 245W (Tc) 工作温度： -55°C # 175°C (TJ) 安装类型： Through Hole 供应商器件封装： TO-220-3 封装/外壳： TO-220-3 温度： -55°C # 175°C (TJ)

FDP050AN06A0参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	18A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	5 毫欧 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3900 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	245W（Tc）
工作温度:	-55°C # 175°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220-3
封装/外壳:	TO-220-3
温度:	-55°C # 175°C（TJ）