FDMS8820厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.773961 +10：￥8.978321 +30：￥7.18256 +100：￥5.985507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥4.305344 +10：￥4.196072 +30：￥4.119581 +100：￥4.054017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A/116A 8PQFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.013094 +6000：￥2.869649 +9000：￥2.737184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.370824 +6000：￥7.019922 +9000：￥6.695878	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： PowerTrench® 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 28A（Ta），116A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 毫欧 28A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 88 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 5315 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta），78W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-PQFN（5x6）封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.859485 +10：￥14.573339 +100：￥11.340058 +500：￥9.611833 +1000：￥7.829884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)
FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.859485 +10：￥14.573339 +100：￥11.340058 +500：￥9.611833 +1000：￥7.829884	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： PowerTrench® 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-PQFN (5x6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 ON(安森美) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 28A POWER56 下载数据手册未分类	+1：￥20.416074 +10：￥16.659517 +100：￥12.951959 +500：￥10.975683 +1000：￥8.934075	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	封裝： Reel 封裝： Cut Tape 封裝： MouseReel 標準包裝數量： 3000

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 ON Semiconductor 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 28A 8-Pin PQFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥8.231536	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FDMS8820 onsemi(安森美) 授权代理品牌	N-Channel 30 V 116 A 2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56 下载数据手册未分类	+3000：￥4.957408 +6000：￥4.807183 +9000：￥4.707033	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FDMS8820参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	PowerTrench®
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	28A（Ta），116A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 毫欧 28A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	88 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	5315 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta），78W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-PQFN（5x6）
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）