锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 FDS8433A7 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8433A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥3.402943

+10:

¥3.31892

+30:

¥3.266405

+100:

¥3.21389

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC 5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8433A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC 5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8433A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: P 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 5A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC 5 V

Vgs(最大值): ±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: 8-SOIC

封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)

温度: -55°C # 150°C(TJ)

FDS8433A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS8433A_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

供应商器件封装: 8-SOIC

FDS8433A_未分类
FDS8433A
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC

未分类

+1:

¥12.15441

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Bulk

Package / Case: 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: -55°C # 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 4.5V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA

Supplier Device Package: 8-SOIC

Part Status: Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V

Vgs (Max): ±8V

Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 10 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FDS8433A_未分类
FDS8433A
授权代理品牌

MOSFET P-CH 20V 5A 8SOIC

未分类

库存: 0

货期:7~10 天

封裝: Reel

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

標準包裝數量: 2500

FDS8433A参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 47 毫欧 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 28 nC 5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1130 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)