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FCP11N60F_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP11N60F
ON(安森美)
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￥11.331579

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国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCP11N60F_未分类
FCP11N60F
VBsemi(台湾微碧)
授权代理品牌

FCP11N60F VBSEMI/台湾微碧半导体

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FCP11N60F_未分类
FCP11N60F
授权代理品牌

FCP11N60F VBSEMI/微碧半导体

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库存： 1000 +

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FCP11N60F
授权代理品牌

FCP11N60F VBSEMI/微碧半导体

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FCP11N60F_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP11N60F
ON(安森美)
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

自营 国内现货
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FCP11N60F_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP11N60F
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥18.397846

+50：

￥14.58628

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￥12.502943

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￥11.113701

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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ON(安森美)
授权代理品牌
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￥9.516126

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCP11N60F
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥11.113701

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￥9.516126

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格（含税）库存关键参数
FCP11N60F_晶体管-FET，MOSFET-单个
FCP11N60F
ON(安森美)
授权代理品牌
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￥45.006006

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￥35.681904

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￥30.585511

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￥27.187057

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￥23.278965

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Tube,Tube

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

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FCP11N60F
ON(安森美)
授权代理品牌

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

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库存： 0

货期：7~10 天

品牌： onsemi

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列： SuperFET™

零件状态： Active

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A (Tc)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 380mOhm 5.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 52 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1490 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 125W (Tc)

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

供应商器件封装： TO-220-3

封装/外壳： TO-220-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

FCP11N60F参数规格

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube,Tube
封装/外壳: *
系列: SuperFET™
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）: 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 380mOhm 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 52 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1490 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 125W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
温度: -55°C # 150°C (TJ)